• 仪器级品质;
• 卓越的线性误差:<0.05%;
• 超低的温度系数:30ppm/K;
• 宽泛的磁场量程:15T。
• 仪器级品质;
• 卓越的线性误差:<0.05%;
• 超低的温度系数:30ppm/K;
• 宽泛的磁场量程:15T。
提供专业的磁场测量解决方案 | ||||||
强磁场测量仪器(0 - 20T) | ||||||
型号 | 原理 | 类型 | 轴数 | DC精度 | 最大量程 | 最高分辨率 |
霍尔 | 霍尔元件 | 1 | <0.05% | 15T | TC: 30ppm/K | |
霍尔 | 手持式 | 1 | 2% | 2T | 10μT | |
霍尔 | 手持式 | 1 | 0.8% | 10T | 1μT | |
霍尔 | 手持式-小量程 | 1 | 0.8% | 150mT | 0.1μT | |
霍尔 | 手持式-脉冲 | 1 | 0.8% | 10T | 1μT | |
霍尔 | 手持式 | 3 | 0.8% | 10T | 1μT | |
霍尔 | 手持式 | 1 | 1% | 10T | 10μT | |
霍尔 | 手持式 | 3 | 1%, 0.5% | 10T | 1μT | |
霍尔 | 台式 | 1 | 0.04% | 10T | 1μT | |
霍尔 | 台式 | 3 | 0.04% | 10T | 1μT | |
霍尔 | 模拟变送器 | 1 | 1%, 0.2% | 10T | Output: ±3V | |
霍尔 | 数字变送器 | 1 | 0.8%, 0.2% | 10T | 1μT | |
霍尔 | 数字变送器 | 3 | 1%, 0.2% | 10T | 1μT | |
霍尔 | 数字变送器 | 3 | 0.5%, 0.1% | 3T | 1μT | |
磁场测试系统 | ||||||
阵列磁场检测系统,同步检测多达128个位置的磁场 | ||||||
高精度高斯计标定系统 (高精度特斯拉计检定装置) | ||||||
弱磁场测量仪器(0- 2mT) | ||||||
弱磁场高斯计 | ||||||
型号 | 原理 | 类型 | 轴数 | DC精度 | 最大量程 | 最高分辨率 |
磁阻 | 手持式 | 1 | 0.8% | 600μT | 10nT | |
磁阻 | 手持式 | 3 | 0.8% | 600μT | 10nT | |
磁通门 | 手持式 | 1 | 0.5% | 200μT | 1nT | |
磁通门 | 手持式 | 3 | 0.5% | 200μT | 1nT | |
磁通门 | 手持式 | 1 | 0.5% | 200μT | 0.1nT | |
磁通门 | 手持式 | 3 | 0.5%, 0.25% | 1mT | 0.1nT | |
磁通门 | 台式 | 3 | 0.1% | 100μT | 0.01nT | |
磁通门 | 智能变送器 | 3 | 0.2% | 1mT | 0.1nT | |
磁通门传感器 | ||||||
型号 | 原理 | 类型 | 轴数 | 噪声等级 | 最大量程 | 输出 |
磁通门 | 分体式|小尺寸 | 3 | <20pT | 1500μT | ±10V,单端 | |
磁通门 | 小尺寸 | 3 | ≤15pT | 1500μT | ±10V,单端 | |
磁通门 | 小尺寸 | 3 | ≤20pT | 1500μT | ±10V,单端 | |
磁通门 | 微型探头 | 1 | <200pT | 200μT | ±2.5V,差分 | |
磁通门 | 微型探头 | 3 | <300pT | 200μT | ±2.5V,差分 | |
磁通门 | 高温型 | 3 | ≤300pT@175℃ | 100μT | ±5V,差分 | |
磁通门 | 经济型 | 3 | 10 to 20pT | 1000μT | ±10V,单端 | |
磁通门 | 低噪声 | 3 | <10pT | 100μT | ±10V,单端 | |
磁通门 | 低功耗 | 3 | <30pT | 200μT | ±3V,差分 | |
磁通门 | 低功耗|低噪声 | 3 | <10pT | 100μT | ±3V,差分 | |
磁通门 | 高性能|低噪声 | 3 | <6pT | 100μT | ±10V,单端 | |
磁通门直流电源 | ||||||
型号 | 输出电压 | 功能 | ||||
±12V | 专门用于磁通门传感器的高稳定度便携式电源,可对传感器的XYZ输出进行DC/AC滤波 | |||||
梯度仪 | ||||||
型号 | 原理 | 类型 | 轴数 | DC精度 | 最大量程 | 最高分辨率 |
磁通门 | 梯度仪 | 3 | 0.1% | 100μT | 0.01nT | |
数据采集系统 | ||||||
型号 | 通道数 | 功能 | ||||
3 | 3通道频谱分析仪,可连接1个三轴磁通门传感器或加速度计 提供DC,AC RMS和频谱分析数据的功能 | |||||
6 | 6通道频谱分析仪,可同时连接2个三轴磁通门传感器或加速度计 提供时域图和频谱分析功能 | |||||
1-6000 | 高精度同步采集系统,最多可连接2000个三轴磁通门传感器 最高同步采集速度40ksps/路 | |||||
6-48 | 微型弱磁场传感器阵列,可同步采集2-16个微型弱磁场传感器的数据 | |||||
交流磁场测量(DC- 1MHz) | ||||||
型号 | 原理 | 类型 | 轴数 | AC精度 | 最大量程 | 频率响应 |
交流线圈 | 模拟传感器 | 1 | 1% | 3mT | 30Hz- 2kHz | |
交流线圈 | 模拟传感器 | 1 | 1% | 3mT | 2kHz- 1MHz | |
磁阻 | 智能变送器 | 3 | DC- 0.5% AC- 2% | 100μT | DC- 500kHz | |
备注: 1、 磁场单位换算:1T= 10kG; 1mT= 10G; 1μT= 10mG; 1nT= 10μG; 1G≈80A/m = 0.8A/cm 2、 点击上表左侧型号,可查阅相应型号的产品资料 |
Features:
l Instrumentation Quality
l Excellent linearity error : 0.05%
l TC of sensitivity: 30ppm/K
l Max Range : 15T
Typical Applications
l Current and power measurement
l Magnetic field measurement
l Control of brushless DC motors
l Rotation and position sensing
l Measurement of diaphragm
The third-generation semiconductor gallium nitride (GaN) Hall sensor X113, built into a SMT package (SOT-143), has the characteristics of good temperature stability, high linearity and low noise, which is superior to the second-generation semiconductor gallium arsenide (GaAs) sensor technology.
Hall sensor X113 is outstanding for its excellent linearity error 0.05% and very low temperature coefficients 30ppm/K. While the sensor is operated with constant current, the output hall voltage is directly proportional to a magnetic field acting perpendicular to the surface of the sensor.
Maximum Ratings
Parameter | Symbol | Value | Unit |
Operating temperature | TA | – 40 ¼ + 100 | °C |
Storage temperature | Tstg | – 60 ¼ + 130 | °C |
Supply current | I1 | 30 | mA |
Thermal conductivity, soldered in air | GthC GthA | ³ 2.2 ³ 1.5 | mW/K mW/K |
Characteristics (TA = 25℃)
Parameter | Condition | MIN | TYP | MAX | Unit |
Nominal supply current | I1N | 20 | 30 | mA | |
Open-circuit hall voltage I1 = I1N, B = 0.1 T | V20 | 7.0 | 9.0 | mV | |
Ohmic offset voltage I1 = I1N, B = 0 T | VR0 | 0.1 | 0.3 | mV | |
Active area (in the sensor center) | 0.07 | mm2 | |||
Linearity of Hall voltage B = 0.1 ¼ 2.0 T | FL | 0.05 | % | ||
Input resistance B = 0 T | R10 | 60 | 75 | W | |
Output resistance B = 0 T | R20 | 60 | 75 | W | |
Temperature coefficient of the open-circuit Hall-voltage I1 = I1N, B = 0.5 T | TCV20 | -30 | ppm/K | ||
Temperature coefficient of the internal resistance B = 0 T | TCR10, R20 | 0.08 | %/K | ||
Temperature coefficient of ohmic offset voltage I1 = I1N, B = 0 T | TCVR 0 | 1 | 4 | μT/K | |
Noise figure | F | 10 | dB | ||
Range | 10 | 15 | Tesla |
※ ※ ※ 点击查看其他磁测设备 ※ ※ ※ |