强磁场测量仪器(0 - 20T)

型号

原理

类型

轴数

DC精度

最大量程

最高分辨率

X113

霍尔

霍尔元件

1

<0.05%

15T

TC: 30ppm/K

G80

霍尔

手持式

1

2%

2T

10μT

G81

霍尔

手持式

1

0.8%

10T

1μT

G82

霍尔

手持式-高频

1

0.8%

10T

1μT

G83

霍尔

手持式

3

0.8%

10T

1μT

G92

霍尔

手持式

1

1%

10T

10μT

G93

霍尔

手持式

3

1%, 0.5%

20T

1μT

G201

霍尔

台式

1

0.2%

10T

1μT

G203

霍尔/磁阻

台式

3

0.2%

10T

10nT

G401

霍尔

台式

1

0.04%

10T

1μT

G403

霍尔

台式

3

0.04%

10T

1μT

GSP301A

霍尔

模拟变送器

1

1%, 0.2%

10T

Output: ±3V

GSP301D

霍尔

数字变送器

1

1%, 0.2%

10T

1μT

GSP303D

霍尔

数字变送器

3

1%, 0.2%

20T

1μT

GSP303D-S

霍尔

数字变送器

3

0.5%, 0.1%

3T

1μT

磁场测试系统

GAS3000

阵列磁场检测系统，同步检测多达128个位置的磁场

GMS980

高精度高斯计标定系统 （高精度特斯拉计检定装置）

弱磁场测量仪器(0- 2mT)

弱磁场高斯计

型号

原理

类型

轴数

DC精度

最大量程

最高分辨率

GMR61

磁阻

手持式

1

0.8%

600μT

10nT

GMR63

磁阻

手持式

3

0.8%

600μT

10nT

GF601

磁通门

手持式

1

0.5%

1mT

0.1nT

GF603

磁通门

手持式

3

0.25%

1mT

0.1nT

GF633

磁通门

台式

3

0.1%

100μT

0.01nT

GFP703

磁通门

智能变送器

3

0.5%

1mT

0.1nT

GFP703S

磁通门

频谱分析仪

3

0.5%

1mT

0.01nT

GFP803

磁通门

智能变送器

3

0.2%

1mT

0.1nT

交流磁场测量(DC- 1MHz)

型号

原理

类型

轴数

AC精度

最大量程

频率响应

AMS-2K

交流线圈

模拟传感器

1

1%

3mT

30Hz- 2kHz

AMS-1M

交流线圈

模拟传感器

1

1%

3mT

2kHz- 1MHz

G1000

磁阻

智能变送器

3

DC- 1%   AC- 2%

400μT/ Axis

DC- 1MHz

GA1000

磁阻

手持式

3

2%

400μT/ Axis

30Hz- 1MHz

GSP301HFA

磁阻

模拟变送器

1

1%

150μT

20Hz-1.2MHz

GSP303HFA

磁阻

模拟变送器

1

1%

150μT

20Hz-1.2MHz

磁通门传感器

型号

原理

类型

轴数

噪声等级

最大量程

输出

F901

磁通门

经济型

3

10 to 20pT

1000μT

±10V,单端

F902

磁通门

低噪声

3

<10pT

100μT

±10V,单端

F903

磁通门

低功耗

3

10 to 20pT

200μT

±3V,差分

F904

磁通门

低功耗|低噪声

3

<10pT

100μT

±3V,差分

F905

磁通门

高性能|低噪声

3

<6pT

100μT

±10V,单端

F906

磁通门

低功耗

3

10 to 20pT

100μT

±3V,差分

F23

磁通门

分体式|大量程

3

<20pT

1500μT

±10V,单端

F53

磁通门

高温型

3

≤300pT@175℃

100μT

±5V,差分

磁通门传感器数据采集单元

FDU301

可连接1个三轴磁通门传感器

ASA1000

可连接2-126个单轴磁通门传感器 或者2-42个三轴磁通门传感器

AFS

阵列磁通门传感器检测系统，可连接多个磁通门磁场变送器

GMR-16

微型弱磁场传感器阵列，可同步采集2-16个微型弱磁场传感器的数据

GR100

数字式三轴磁通门梯度仪

备注：

1、 磁场单位换算：1T= 10kG; 1mT= 10G; 1μT= 10mG;   1nT= 10μG

2、 点击上表左侧型号，可查阅相应型号的产品资料

Operating temperature

TA

– 40 ¼ + 100

°C

Storage temperature

Tstg

– 60 ¼ + 130

°C

Supply current

I1

30

mA

Thermal conductivity, soldered in air

GthC GthA

³ 2.2

³ 1.5

mW/K mW/K

Nominal supply current

I1N

20

30 

mA

Open-circuit hall voltage

I1 = I1N, B = 0.1 T

V20

7.0

9.0 

mV

Ohmic offset voltage

I1 = I1N, B = 0 T

VR0

0.1

0.3

mV

Active area (in the sensor center)

0.07

mm²

Linearity of Hall voltage

B = 0.1 ¼ 2.0 T

FL

0.05

%

Input resistance      

B = 0 T

R10

60

75 

W

Output resistance    

B = 0 T

R20

60

75 

W

Temperature coefficient of the open-circuit Hall-voltage

I1 = I1N,  B = 0.5 T

TCV20

-30

ppm/K

Temperature coefficient of the internal resistance   

B = 0 T

TCR10, R20

0.08

%/K

Temperature coefficient of ohmic offset voltage

I1 = I1N,  B = 0 T

TCVR 0

1

4

μT/K

Noise figure

F

10

dB

Range

10

15 

Tesla